Les MOSFET ou transistors MOS sont des transistors à effet de champ dont la grille métallique est totalement isolée du canal par une mince couche isolante d'oxyde de silicium ( ) d'épaisseur voisine de .

La grille, la couche de silice et le canal constituent un condensateur dont la polarisation peut modifier la conductivité du canal. Le changement peut résulter soit d'une modification de la concentration en porteurs majoritaires et l'on a des MOS à canal diffusé ou à déplétion, soit d'une modification de la concentration en porteurs minoritaires et l'on a alors des MOS à canal induit ou à enrichissement.

Pour ce type de transistors le courant d'entrée est nul puisque que la grille est isolée. La résistance d'entrée est toujours supérieure à .