Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres) dont l'épaisseur est fonction de la tension inverse ( ). Cette zone isolante qui correspond aux jonctions grille-canal et substrat-canal diminue la largeur effective du canal.

Figure 38a

Figure 38b

Pour les tensions faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source. Le JFET est alors équivalent à une résistance commandée par une tension. Pour une valeur suffisamment négative de , la conduction s'annule. On dit que le canal est « pincé » et que est la tension de pincement.

La largeur de la zone isolante est également influencée par la tension entre le drain et la source. Du côté de la source sa largeur est : .

Du côté du drain, elle est : . Quand augmente, la valeur du courant drain résulte de deux phénomènes compétitif}s : une croissance liée au caractère ohmique du canal et une diminution liée au pincement progressif de ce canal.

Figure 39

Dans cette zone tout accroissement de qui augmenterait le courant augmente aussi le pincement. Quand le canal se pince, la densité du courant augmente jusqu'à ce que les porteurs atteignent leur vitesse limite : le courant drain reste constant et le transistor est dit saturé. La valeur maximum de pour , qui correspond au pincement du canal est notée .

Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du dispositif si rien ne limite le courant drain.

La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit une croissance du courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec la température. C'est le second effet qui est prépondérant pour les courants drain élevés et il n'y a pas de risque d'emballement thermique avec les transistors à effet de champ.