Pour ce type de transistor il n'y a pas de canal créé lors de la fabrication. Pour les tensions de grille
négatives, la jonction drain-substrat est bloquée et le courant drain
est nul. Les seuls porteurs libres dans la zone
sont des électrons d'origine thermique. Si
est assez positif, les charges négatives du matériau
se regroupent au voisinage de la grille et forment une couche conductrice entre le drain et la source. Cette couche se comporte comme une zone
qui est induite dans la zone
par inversion de la population des porteurs.
La tension de seuil minimale pour induire un canal est notée
(
est mis pour threshold
).
Remarque :
Si
croît au-delà du seuil, la section du canal augmente et
croît. Par construction le substrat est souvent relié à la source et
est alors égal à
.
Complément :
Sur le symbole des MOS à canal induit, le canal est représenté par un trait discontinu. Une flèche indique le sens pour lequel la jonction substrat-canal est passante. Il existe également des transistors complémentaires dans lesquels le canal induit est de type
.
