Dans ce type de transistor à structure verticale, le substrat joue le rôle du drain. Quand la tension est supérieure à la tension de seuil, un large canal est induit dans la zone de la rainure du par inversion de population. Pour ce type de transistor le courant drain peut atteindre plusieurs ampères et contrairement aux MOS conventionnels la pente est constante et voisine de .

De plus ils ont l'avantage d'avoir une dérive thermique faible. Quand la température augmente leur courant drain diminue. Il n'y a donc aucun risque d'emballement thermique avec ce type de transistor. Leur temps de commutation est bref et comme les capacités internes sont petites ils sont utilisables jusqu'à plus de .

Figure 58