On considère un FET dont la source est à la masse. Pour une tension nulle, le transistor étant saturé présente une résistance faible ( ). Si par contre est très négatif il est bloqué et la résistance est très grande. Cette propriété est très utilisée dans les interrupteurs analogiques qui permettent la commutation de signaux alternatifs.

On utilise soit la connexion « shunt » soit la connexion « série ». Dans les deux cas l'interrupteur n'est pas parfait et présente une résistance .

Figure 47

Le modèle série peut être utilisé comme « hacheur » de signal : les signaux lentement variables avec le temps sont difficiles à amplifier. On applique sur la grille une tension de commande rectangulaire variant entre 0 et la tension de blocage du FET. On transforme ainsi le signal d'entrée continu en un signal alternatif rectangulaire dont la fréquence est celle du générateur de commande. Il est alors possible d'utiliser un amplificateur alternatif conventionnel pour amplifier le signal. On effectue ensuite un redressement pour obtenir l'image amplifiée du signal original

Figure 48

Dans la région ohmique, la résistance drain-source est fonction de la valeur de . Plus cette tension est négative et plus est grand. Pour nul, la valeur de est voisine d'une centaine d'ohms.

Un transistor dont la grille est reliée au drain se comporte comme une résistance non linéaire dont la caractéristique est le lieu des points tels que .

On trouve dans les catalogues des constructeurs des diodes à courant constant qui sont en fait des transistors à effet de champ dont la grille est reliée à la source. Cette « diode » se comporte comme un générateur de courant constant égal à IDSS (gamme à ) et de résistance interne (gamme à ). La chute de tension dans la diode doit rester inférieure à la tension de claquage du transistor.