Composants de base
Comparaison avec les transistors bipolaires

Il existe beaucoup d'analogies entre les montages amplificateurs réalisés soit avec des FET soit avec des transistors à jonction. Les montages source commune se comportent comme les montages à émetteur commun et les montages drain commun comme les montages à collecteur commun.

Les avantages des FET sont :

  • une grande résistance d'entrée

  • le faible niveau de bruit lié au fait qu'il n'y a qu'un seul type de porteurs et donc pas de recombinaisons.

Les inconvénients des FET sont :

  • une faible pente

  • le manque de linéarité  

  • la grande dispersion des caractéristiques

  • la polarité opposée des tensions et qui interdit les liaisons directes entre étages.

Dans les montages amplificateurs, les FET seront principalement utilisés dans l'étage d'entrée. On profite de leur grande impédance d'entrée qui permet de ne pas perturber la source. Dans ce premier étage l'amplitude des signaux est petite et de ce fait l'influence de la non linéarité du transistor est minime si la polarisation est correcte. Pour les étages suivants, on utilisera des transistors bipolaires qui autorisent une plus grande dynamique au niveau de l'amplitude des signaux.

Jean Jacques ROUSSEAU - Université du Maine Paternité - Pas d'Utilisation Commerciale - Pas de ModificationRéalisé avec Scenari (nouvelle fenêtre)