Composants de base
Caractéristiques

Pour les tensions positives, il y a un accroissement du nombre de porteurs libres dans le canal (enrichissement) et pour les tensions négatives, on a un appauvrissement. L'expression du courant drain est comme pour un donnée par :

mais cette fois peut être positif ou négatif.

Figure 51

La polarisation de ce type de transistor est particulièrement simple car on peut le polariser avec la grille à la masse ( ). On peut également utiliser les mêmes méthodes de polarisation que pour les JFET. Les applications de ce type de transistor sont les mêmes que celles des transistors à effet de champ à jonction.

Jean Jacques ROUSSEAU - Université du Maine Paternité - Pas d'Utilisation Commerciale - Pas de ModificationRéalisé avec Scenari (nouvelle fenêtre)