La couche de silice qui isole la grille de commande est tellement mince qu'elle sera détruite par une tension grille-source excessive. Le simple fait d'apporter des charges statiques sur la grille peut provoquer la destruction du dispositif. En effet la capacité du condensateur grille-silice-canal est si petite que même des quantités minimes d'électricité peuvent créer des champs électriques supérieurs au seuil de claquage de l'isolant. Ce claquage est irréversible et destructeur.

La manipulation des transistors MOS suppose quelques précautions telles que la mise à la masse des opérateurs, l'usage de conditionnements conducteurs, l'emploi de plans de travail conducteurs, l'utilisation d'anneaux conducteurs reliant les électrodes qui sont retirés après soudure du composant sur le circuit. Ces transistors sont souvent protégés par une diode Zener incorporée lors de la fabrication entre la source et la grille. L'inconvénient de cette protection très efficace est qu'elle diminue beaucoup la résistance d'entrée.